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【2h】

Magneto-optical properties of single site-controlled InGaAsN quantum wires grown on prepatterned GaAs substrates

机译:在预先形成图案的GaAs衬底上生长的单点控制InGaAsN量子线的磁光特性

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摘要

The properties of single InGaAsN V-groove quantum wires (QWRs) –both untreated and irradiated with atomic hydrogen– are probed by micro-magneto-photoluminescence spectroscopy. The strong anisotropy of the diamagnetic shift measured for different orientations of the applied magnetic field confirms the one-dimensional nature of the QWR carrier wavefunction. In addition, the strain reduction associated with N incorporation is found to promote a larger indium intake in the QWR, enabling the realization of sitecontrolled QWRs emitting at long (≥1.3μm), technologically relevant wavelengths.
机译:通过微磁光致发光光谱法研究了未经处理和原子氢辐照的单个InGaAsN V型槽量子线(QWR)的特性。针对外加磁场的不同方向测得的反磁性位移的强各向异性证实了QWR载波函数的一维性质。此外,发现与掺氮有关的应变降低可促进QWR中铟的摄入量增加,从而能够实现以长波(≥1.3μm),技术上相关的波长发射的定点QWR。

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